LM5109B中文资料具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器数据手册TI规格书
LM5109B规格书详情
描述 Description
LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和 CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。
特性 Features
• 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流）
• 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
• 自举电源电压高达 108VDC
• 短暂传播时间（典型值为 30ns）
• 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
• 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
• 支持电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装
应用 Application
电流反馈推挽式转换器
半桥和全桥电源转换器
固态电机驱动器
双开关正激电源转换器
技术参数
- 制造商编号
：LM5109B
- 生产厂家
：TI
- Power switch
：MOSFET
- Input VCC (Min) (V)
：8
- Input VCC (Max) (V)
：14
- Peak output current (A)
：1
- Rise time (ns)
：15
- Operating temperature range (C)
：-40 to 125
- Undervoltage lockout (Typ)
：8
- Rating
：Catalog
- Number of channels (#)
：2
- Fall time (ns)
：15
- Prop delay (ns)
：25
- Iq (uA)
：10
- Input threshold
：TTL
- Channel input logic
：TTL
- Negative voltage handling at HS pin (V)
：-1
- Features
：—
- Driver configuration
：Dual
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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