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LM5100M中文资料High Voltage High Side and Low Side Gate Driver数据手册TI规格书

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厂商型号

LM5100M

参数属性

LM5100M 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

High Voltage High Side and Low Side Gate Driver

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-9-21 9:40:00

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LM5100M规格书详情

描述 Description

General Description
The LM5100/LM5101 High Voltage Gate Drivers are designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration.

特性 Features

Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
Independent high and low driver logic inputs (TTL for LM5101 or CMOS for LM5100)
Bootstrap supply voltage range up to 118V DC
Fast propagation times (25 ns typical)
Drives 1000 pF load with 15 ns rise and fall times
Excellent propagation delay matching (3 ns typical)
Supply rail under-voltage lockouts
Low power consumption
Pin compatible with HIP2100/HIP2101Typical Applications
Current Fed push-pull converters
Half and Full Bridge power converters
Synchronous buck converters
Two switch forward power converters
Forward with Active Clamp converters

技术参数

  • 产品编号:

    LM5100MX

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    9V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    3V,8V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.6A,1.6A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    600ns,600ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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