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LM5108中文资料具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器数据手册TI规格书

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厂商型号

LM5108

参数属性

LM5108 封装/外壳为10-VFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR PWR MGMT

功能描述

具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

封装外壳

10-VFDFN 裸露焊盘

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-9-21 9:39:00

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LM5108规格书详情

描述 Description

LM5108 是一款高频半桥栅极驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥配置的拓扑(例如同步降压、全桥、有源钳位正激式、LLC 和同步升压)中控制两个 N 沟道 MOSFET。

此器件具有互锁功能,可以在两个输入都处于高电平时防止两个输出同时处于高电平。此互锁功能可改进电机驱动和电动工具应用中的系统 稳健性。使用启用和禁用功能,可以灵活、快速地控制功率级。电池供电的工具也可以使用 LM5108 的功能来减小待机电流和响应系统故障。输入与电源电压无关,并且可以具有独立的脉宽。这样即可实现极高的控制灵活性。输入和启用功能都具有足够的迟滞,可以在易产生噪声的 应用(例如电机驱动器)中改善系统稳健性 。

低侧和高侧输出在彼此的接通和关断之间实现了低至 1ns 的匹配。这样即可优化死区时间,进而提高效率。5V UVLO 允许驱动器使用更低的偏置电源运行,进而允许功率级以更高的开关频率运行且不会增加开关损耗。VDD 和 HB UVLO 阈值规格设计为使高侧和低侧驱动器通常在 5V 电压时接通。如果 VDD 和 HB UVLO 阈值相同,则设计器需要高于 VDD UVLO 阈值的偏置电源才能同时接通高侧和低侧驱动器。

板载自举二极管无需使用外部分立式二极管,因此提高了布板空间利用率。小型封装支持紧凑型电源设计,例如电动工具。

特性 Features

• 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
• 采用 3mm × 3mm 封装
• 互锁或跨导保护
• 启用/禁用功能
• HS 引脚上的绝对最大负电压处理能力 (-5V)
• 5V 典型欠压锁定
• 20ns 典型传播延迟
• 1000pF 负载时的上升时间为 11ns,下降时间典型值为 8ns
• 1ns 典型延迟匹配
• 2.6A 灌电流,1.6A 拉电流输出
• 绝对最大启动电压为 110V
• 禁用时消耗的电流很低 (7µA)
• 集成式自举二极管

技术参数

  • 制造商编号

    :LM5108

  • 生产厂家

    :TI

  • Power switch

    :MOSFET

  • Input VCC (Min) (V)

    :6

  • Input VCC (Max) (V)

    :16

  • Peak output current (A)

    :2.6

  • Rise time (ns)

    :11

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 125

  • Undervoltage lockout (Typ)

    :5

  • Rating

    :Catalog

  • Number of channels (#)

    :2

  • Fall time (ns)

    :8

  • Prop delay (ns)

    :20

  • Iq (uA)

    :0.28

  • Input threshold

    :TTL

  • Channel input logic

    :TTL

  • Negative voltage handling at HS pin (V)

    :-5

  • Features

    :Enable

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