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LM5109B-Q1中文资料具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器数据手册TI规格书
LM5109B-Q1规格书详情
描述 Description
LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。
特性 Features
• 符合汽车类 应用标准
• 器件温度 1 级
• 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
• 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入
• 短暂传播时间（典型值为 30ns）
• 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
• 低功耗
• 耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装
应用 Application
推挽转换器
半桥和全桥电源转换器
固态电机驱动器
双开关正向电源转换器
技术参数
- 制造商编号
：LM5109B-Q1
- 生产厂家
：TI
- Power switch
：MOSFET
- Input VCC (Min) (V)
：8
- Input VCC (Max) (V)
：14
- Peak output current (A)
：1
- Rise time (ns)
：15
- Operating temperature range (C)
：-40 to 125
- Undervoltage lockout (Typ)
：8
- Rating
：Automotive
- Number of channels (#)
：2
- Fall time (ns)
：15
- Prop delay (ns)
：30
- Iq (uA)
：10
- Input threshold
：TTL
- Channel input logic
：TTL
- Negative voltage handling at HS pin (V)
：-1
- Features
：—
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
22+ |
WSON- |
4500 |
原装正品 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
TI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
TI |
16+ |
WSON |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
TI |
20+ |
NA |
53650 |
TI原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Texas Instruments |
24+ |
8-WSON(4x4) |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
21+ |
WSON-8 |
9990 |
只有原装 |
询价 | ||
TI正品全标 |
23+ |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | |||
22+ |
5000 |
询价 | |||||
TI/德州仪器 |
24+ |
QFN |
1364 |
只供应原装正品 欢迎询价 |
询价 |
