LM5109B-Q1 High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver

1 Features 1• Qualified for Automotive Applications • AEC-Q100 Qualified With the Following Results – Device Temperature Grade 1 high– Device HBM ESD Classification Level 1C – Device CDM ESD Classification Level C4A • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1-A Peak Output

文件：970.51 Kbytes 页数：24 Pages

TI

德州仪器

LM5109B High Voltage 1-A Peak Half-Bridge Gate Driver

1 Features 1• Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source) • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC • Fast Propagation Times (30 ns Typical) • Drives 1000-pF Load With 15-ns Ri

文件：1.20768 Mbytes 页数：29 Pages

TI

德州仪器

High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver

文件：755.51 Kbytes 页数：22 Pages

TI

德州仪器

具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。 • 符合汽车类 应用标准\n• 器件温度 1 级 \n• 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A\n• 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入\n• 短暂传播时间（典型值为 30ns）\n• 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)\n• 低功耗\n• 耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装;

TI

德州仪器