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LF412CDR1G4.A	文件：425.13 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LF412C；Package：SOIC；DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.13 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDRE4	文件：425.13 Kbytes Page：12 Pages	DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.13 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDRE4	文件：425.53 Kbytes Page：12 Pages	DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.53 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDRG4	文件：425.53 Kbytes Page：12 Pages	DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.53 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDRG4	文件：425.13 Kbytes Page：12 Pages	DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.13 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CN	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CN/NOPB	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	丝印：LF412CN；Package：PDIP(P)；LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CN/NOPB.B	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	丝印：LF412CN；Package：PDIP(P)；LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CN/NOPBG4	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	丝印：LF412CN；Package：PDIP(P)；LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CN/NOPBG4.B	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	丝印：LF412CN；Package：PDIP(P)；LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Package：
eSGB (DO-221AC)
Status：
Active
VRRM(V)：
400
Io(AV)（A）：
1
IFSM(A)：
30
VF(V)：
1.3
IR(uA)：
5
trr(nS)：
150
TJ (Max)(ºC)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宝芯创电子有限公司	LF412MH	NS	2026+	CAN8	12500	全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	LF411ACH	NS	25+23+	CANSX	19144	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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