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LF412CD	文件：425.13 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LF412C；Package：SOIC；DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.13 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CD	文件：425.53 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LF412C；Package：SOIC(D)；DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.53 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDR	文件：425.13 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LF412C；Package：SOIC；DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.13 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDR	文件：425.53 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LF412C；Package：SOIC(D)；DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.53 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDR.A	文件：425.13 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LF412C；Package：SOIC；DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.13 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDR.A	文件：425.53 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LF412C；Package：SOIC(D)；DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.53 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDR1G4	文件：425.53 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LF412C；Package：SOIC(D)；DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.53 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDR1G4.A	文件：425.13 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LF412C；Package：SOIC；DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.13 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CDR1G4.A	文件：425.53 Kbytes Page：12 Pages	丝印：LF412C；Package：SOIC(D)；DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER Low Input Bias Current . . . 50 pA Typ Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz Typ Low Supply Current . . . 4.5 mA Typ High Input impedance . . . 1012 Ω Typ Internally Trimmed Offset Voltage Wide Gain Bandwidth . . . 3 MHz Typ High Slew Rate . . . 13 V/μs Typ description This device is a lo 文件：425.53 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412CN/NOPB	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	丝印：LF412CN；Package：PDIP(P)；LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Package：
eSGB (DO-221AC)
Status：
Active
VRRM(V)：
400
Io(AV)（A）：
1
IFSM(A)：
30
VF(V)：
1.3
IR(uA)：
5
trr(nS)：
150
TJ (Max)(ºC)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市欧立现代科技有限公司	LF412CH	NS	24+	CAN8	6980	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市星佑电子有限公司	LF441CM	MOTOROLA	05+	原厂原装	1909	只做全新原装真实现货供应	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	LF444CN	NS	25+	SOT-153	18000	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	LF444CN	NS	13+		11258	原装分销	询价
深圳市锦达世纪科技有限公司	LF412	NS	04+		2000		询价
深圳市福安瓯科技有限公司	LF444CM	NS	25+	SSOP14	18	⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	LF412CN/NOPB	TI/NSC		DIP8	12000	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
深圳市益百分电子有限公司	LF442CN	NS	86+	DIP8	1570	全新原装进口自己库存优势	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	LF444CN	NS	23+	DIP-14	65600		询价
深圳市勤思达科技有限公司	LF444CN	NS	1215+	DIP-14	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价

更多LF4供应商更新时间2025-12-11 16:25:00

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