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KTD1352	文件：321.19 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE) GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES • Good Linearity of hFE. • Complementary to KTB989. 文件：321.19 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTD1411	文件：384.49 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLINGTON) GENERAL PURPOSE DARLINGTON TRANSISTOR. FEATURES • High DC Current Gain : hFE=3000(Min.) (VCE=2V, IC=1A) 文件：384.49 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTD1413	文件：331.77 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat): 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Hammer Driver · High Power Switching Applications · Pulse Motor Driver 文件：331.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KTD1413	文件：288.49 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER) HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER APPLICATIONS. FEATURES • High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=2V, IC=3A. • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V(Max.) at IC=3A. 文件：288.49 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTD1414	文件：374.73 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, HAMMER DRIVER,PULSE MOTOR DRIVER) SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER APPLICATIONS. FEATURES • High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=2V, IC=1A. 文件：374.73 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTD1414	文件：147.47 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A • High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @ IC= 1A, VCE= 2V APPLICATIONS • Switching applications • Hammer driver,pulse motor driver applica 文件：147.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KTD1415	文件：408.7 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER) HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER APPLICATIONS. FEATURES • High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=3V, IC=3A. • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V(Max.) at IC=3A. 文件：408.7 Kbytes 页数：3 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTD1415V	文件：387.43 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR INDUSTRIAL USE. HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER APPLICATIONS. FEATURES High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=3V, IC=3A. Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V(Max.) at IC=3A. 文件：387.43 Kbytes 页数：3 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTD1510	文件：300.6 Kbytes Page：3 Pages	TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON) HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON TRANSISTOR. FEATURES • Complementary to KTB2510. • Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. 文件：300.6 Kbytes 页数：3 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTD1510	文件：153.05 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max) @IC= 7A • High DC Current Gain : hFE= 5000(Min) @ IC= 7A, VCE= 4V • Complement to Type KTB2510 APPLICATIONS • High power amplifier application 文件：153.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
KTD1413
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
MOTOR_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1315,2SD1336(A),
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-10
vtest：
150
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

技术参数

按钮形状：
圆形按钮
作用力：
3N
安装方式：
立贴
开关长度：
6mm
开关宽度：
6mm
开关高度：
5mm
带支架：
不带
触点电流：
50mA
额定电压(DC)：
16V
绝缘电阻：
100MΩ
引脚样式：
J型引脚
机械寿命：
10万次
工作温度：
-40℃~+90℃

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