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KTD1413	文件：288.49 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER) HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER APPLICATIONS. FEATURES • High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=2V, IC=3A. • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V(Max.) at IC=3A. 文件：288.49 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTD1413	文件：331.77 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat): 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Hammer Driver · High Power Switching Applications · Pulse Motor Driver 文件：331.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KTD1413	文件：450.22 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR 文件：450.22 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTD1413	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington transistor, TO-220IS, 100V, 5A • High DC Current Gain : hFE=2000(min.) at VCE=2V, Ic=3A\n• Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V(max.) at Ic=3A.;	KEC 开益禧	KEC
KTD1413_07	文件：450.22 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR 文件：450.22 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTD1413_15	文件：450.22 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR 文件：450.22 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC

晶体管资料

型号：
KTD1413
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
MOTOR_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1315,2SD1336(A),
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-10
vtest：
150
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

技术参数

AEC-Q：
N
Package：
TO-220IS
Polarity：
NPN_NPN
VCEO[V]：
100
IC[A]：
5
PC[W]：
25
hFE_Min：
2000
VCE(SAT)_MAX[V]：
1.5

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