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MMBT5551	文件：222.18 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5551	文件：47.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant •GreenDevice(Notes2and3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT5551	文件：194.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forhighvoltageamplifierapplications.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT5551	文件：145.6 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBT5551	文件：376.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNHighVoltageTransistor ■FEATURES NPNHighVoltageTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
MMBT5551	文件：1.04525 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT5551	文件：1.13116 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highvoltage,complementarypairwithMMBT5401. Applications Generalpurposehighvoltageamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT5551	文件：149.89 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT5551	文件：567.74 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors Features ●HighVoltageTransistors ●Pb-FreePackagesareAvailable	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT5551	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
KST5551MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多KST5551MTF_Q供应商更新时间2025-5-23 11:00:00

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