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MMBT5551	文件：850.23 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistors FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements.	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
MMBT5551	文件：583.37 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5401 ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMBT5551	文件：261.14 Kbytes Page：6 Pages	NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VOLTAGE160VoltsPOWER250mWatts FEATURES •NPNSilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=160V •CollectorcurrentIC=300mA •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT5551	文件：1.06448 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT5551	文件：155.05 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT5551	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5551	文件：768.33 Kbytes Page：5 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MMBT5551	文件：634.91 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MMBT5551	文件：846.76 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5401 ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT5551	文件：2.26051 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) Features ●ComplementarytoMMBT5401 ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI

详细参数

型号：
KST5551MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KST5551MTF_Q供应商更新时间2025-5-23 11:00:00

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