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GL5551	文件：177.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GL5551	文件：179.18 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GM5551	文件：312.29 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
GM5551	文件：217.5 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GM5551	文件：215.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GMBT5551	文件：175.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
GMBT5551	文件：177.27 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GMBT5551	文件：175.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GMBT5551	文件：376.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNHighVoltageTransistor ■FEATURES NPNHighVoltageTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
GSMBT5551	文件：212.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GSMBT5551	文件：209.74 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
H5551	文件：109.32 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR █AMPLIFIERTRANSISTOR Collector-EmitterVoltage:Vceo=160V. CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件	Huashan
HCN5551	文件：387.21 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HDSP-5551	文件：430.71 Kbytes Page：20 Pages	LowCurrentSevenSegmentDisplaysLowPowerConsumption Description Theselowcurrentsevensegmentdisplaysaredesignedforapplicationsrequiringlowpowerconsumption.Theyaretestedandselectedfortheirexcellentlowcurrentcharacteristicstoensurethatthesegmentsarematchedatlowcurrents.Drivecurrentsaslowas1mApersegmentarea	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HM5551	文件：31.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHM5551isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •Highcollector-emitterbreakdownvoltage.VCEO>160V(@IC=1mA) •ComplementstoPNPtypeHM5401	HSMC 华昕	HSMC
HMBT5551	文件：31.72 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR(forgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages) Description TheHMBT5551isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages.	HSMC 华昕	HSMC
HN5551	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications???? NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
HSMCJ5551	文件：239.87 Kbytes Page：2 Pages	PlasticSurfaceMount5AmpStandardRectifierSeries(200-1000V)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
IPS5551T	文件：119.75 Kbytes Page：10 Pages	FULLYPROTECTEDHIGHSIDEPOWERMOSFETSWITCH	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
KMBT5551	文件：72.82 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors Features ●HighVoltageTransistors ●Pb-FreePackagesareAvailable	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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详细参数

型号：
KST5551MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	KST5551MTF超小型管	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市吉银科技有限公司	KST5551MTF超小型管	FAIRCHILD/仙童	1535+		13594		询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	KST5551MTF超小型管	ON/安森美	23+		12000		询价
深圳市正迈科技有限公司	KST55MTF	FSC/ON	23+	原包装原封□□	2983	原装进口特价供应QQ1304306553更多详细咨询库存	询价
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深圳市广弘电子有限公司	KST55MTF	安森美	2002	SOP8	65000	原装正品假一罚万	询价
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更多KST5551MTF_Q供应商更新时间2024-5-21 11:00:00

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