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LTC5551	文件：441.68 Kbytes Page：24 Pages	300MHzto3.5GHzUltra-HighDynamicRangeDownconvertingMixer	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LX5551	文件：262.17 Kbytes Page：3 Pages	2.4-2.5GHzFront-EndModulewithInternallyMatchedPowerAmplifier&SPDTfor11b/g/n DESCRIPTION LX5551isahigh-performanceWLANfront-endmodule(FEM)for802.11b/g/nandotherapplicationsinthe2.4-2.5GHzfrequencyrange.LX5551integratesanadvancedInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)poweramplifierwithbothinput/outputimpedancematching,andanInGaAs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5551LQ	文件：262.17 Kbytes Page：3 Pages	2.4-2.5GHzFront-EndModulewithInternallyMatchedPowerAmplifier&SPDTfor11b/g/n DESCRIPTION LX5551isahigh-performanceWLANfront-endmodule(FEM)for802.11b/g/nandotherapplicationsinthe2.4-2.5GHzfrequencyrange.LX5551integratesanadvancedInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)poweramplifierwithbothinput/outputimpedancematching,andanInGaAs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBT5551	文件：870.27 Kbytes Page：7 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS DESCRIPTION The MBT5551isavailableinSOT23package FEATURES RoHSCompliance AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBT5551	文件：1.01632 Mbytes Page：7 Pages	SWITCHINGTRANSISTORNPNTRANSISTOR DESCRIPTION The MBT5550MBT5551areavailableinSOT23 package FEATURES AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MMBT5551	文件：184.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT5551	文件：98.31 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBT5551	文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551	文件：170.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT5401). ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT5551	文件：51.5 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR ■FEATURES HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V Highcurrentgain	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
KST5551MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KST5551MTF_Q供应商更新时间2025-5-23 11:00:00

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