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KXT5551	文件：39.81 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountNPNSiliconTransistor Features ●Highcurrent(max.600mA). ●Lowvoltage(max.160V). ●ComlementarytoCXT5401	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KZT5551	文件：955.28 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LP5551	文件：3.30416 Mbytes Page：32 Pages	PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LP5551	文件：1.93111 Mbytes Page：38 Pages	LP5551PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LP5551SQX	文件：3.30416 Mbytes Page：32 Pages	PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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详细参数

型号：
KST5551MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多KST5551MTF_Q供应商更新时间2025-5-23 11:00:00

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