KSM9Z24N规格书行情报价仙童半导体KERSEMI-114ic电子网

首页 >KSM9Z24N>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
KSM9Z24N	文件：615.61 Kbytes Page：4 Pages	Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z24	文件：174.81 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24	文件：287.18 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETs FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightmeperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF9Z24	文件：1.81473 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24	文件：277.52 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24	文件：280.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z24	文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24L	文件：825.68 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. ●AdvancedProcessTe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z24L	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24L	文件：311.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-11A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24LPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24N	文件：109.06 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-12A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24N	文件：720.61 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z24N	文件：550.05 Kbytes Page：8 Pages	-55VP-ChannelMOSFET Features VDS(V)=-55V ID=-12A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW
IRF9Z24NL	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NL	文件：168.45 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-12A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：394.15 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NPBF	文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

12 3 4 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
北京天阳诚业科贸有限公司	KSMA240D2-12	i-Autoc	14899+	con	3	现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	KSMA240D2-12D	库顿	21+		61	全新原装鄙视假货15118075546	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	KSMA240D2-12D	i-Autoc	22+		9360	原装现货支持实单	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	KSM-AEBP000S-800	DABTUNERM	22+23+		40762	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	KSM-AEBP000S-800	DABTUNERM	21+		35200	一级代理分销/放心采购	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	KSM-AEBP000S-910	KSEC	2016+	PBFREE	5632	只做进口原装正品!现货或者订货一周货期!只要要网上有	询价
深圳市环球伟业电子有限公司	KSM-AEBP000S-910	KWANG SUNG	21+	SMD	2400	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市宝隆宏业科技有限公司	KSM-AEBP000S-910	KWANGSUNG	2122+	SMD	36000	全新原装正品,优势渠道,价格美丽	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	KSM-AEBP000S-910	KSEC		QFN	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市赛美科科技有限公司	KSM-AEBP000S-910	KSEC		NA	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价

更多KSM9Z24N供应商更新时间2024-6-6 13:40:00

相关规格书

相关库存