IRF9Z24中文资料三星数据手册PDF规格书
IRF9Z24规格书详情
FEATURES
• Lower RDS(ON)
• Improved inductive ruggedness
• Fast switching times
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Lower input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high tmeperature reliability
产品属性
- 型号：
IRF9Z24
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 11 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
DIP |
30617 |
一级代理全新原装热卖 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
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10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
INFINOEN |
24+ |
TO-252-3 |
90000 |
一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理 |
询价 | ||
IR |
12+ |
TO-220 |
2500 |
原装现货/特价 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
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询价 | ||
IOR |
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IR |
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ir |
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NA |
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IR |
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TO-220 |
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100%原装正品现货 |
询价 |
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