IRF9Z24中文资料三星数据手册PDF规格书
IRF9Z24规格书详情
FEATURES
• Lower RDS(ON)
• Improved inductive ruggedness
• Fast switching times
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Lower input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high tmeperature reliability
产品属性
- 型号：
IRF9Z24
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 11 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
25+ |
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原装正品现货库存价优 |
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