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IRF9Z24中文资料三星数据手册PDF规格书

IRF9Z24
厂商型号

IRF9Z24

功能描述

P-CHANNEL POWER MOSFETs

文件大小

287.18 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Samsung semiconductor
企业简称

Samsung三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-24 23:01:00

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IRF9Z24规格书详情

FEATURES

• Lower RDS(ON)

• Improved inductive ruggedness

• Fast switching times

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Lower input capacitance

• Extended safe operating area

• Improved high tmeperature reliability

产品属性

  • 型号:

    IRF9Z24

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 60V 11 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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