IRF9Z24中文资料IRF数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF9Z24
功能描述	POWER MOSFET
文件大小	174.81 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	IRF
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更新时间	2025-12-12 16:19:00
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IRF9Z24规格书详情

描述 Description

Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

产品属性

型号：
IRF9Z24
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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