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MJ2955A	文件：141.71 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Complementtotype2N3055A ·Excellentsafeoperatingarea APPLICATIONS ·Forhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications ·Relayorsolenoiddrviers ·DC-DCconvertersinverters	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ2955A	文件：235.85 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS ...PowerBasecomplementarytransistorsdesignedforhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,d	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ2955A	文件：143.38 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ2955A	文件：256.04 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ2955A	文件：309.23 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS 2N3055A,MJ15015-->NPN MJ15016,MJ2955A-->PNP 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR 60,120VOLTS 115,180WATTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJ2955G	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ2955PNP	文件：336.47 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS GeneralPurposeSwitchingandAmplifierApplications 2N3055NPN MJ2955PNP	CDIL CDIL	CDIL
MJB2955	文件：288.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD2955	文件：183.78 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.1V(Max)@IC=-4A •ComplementtoTypeMJD3055 •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICA	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD2955	文件：343.63 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeed SwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJD3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MJD2955	文件：188.18 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MJD2955	文件：62.38 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeed SwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJD3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD2955	文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955	文件：49 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD2955	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955	文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955	文件：91.77 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MJD2955	文件：43.52 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE2955T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentG	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD2955	文件：147.11 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •Strai	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955G	文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
KSH2955ITU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS PNP 60V 10A IPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KSH2955ITU供应商更新时间2024-5-29 16:27:00

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