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KSH29C	文件：335.94 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Lead formed for surface mount applications(NO suffix) • Straight lead(IPAK,“ －I” suffix) • Electrically similar to popular TIP29C • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • General purpose amplifie 文件：335.94 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH29C	文件：295.92 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 25V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.7V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：295.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH29C	文件：276.88 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 25V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.7V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：276.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH29C	文件：50.37 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications • Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP29 and TIP29C 文件：50.37 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSH29C	文件：55.85 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications 文件：55.85 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSH29C-251	文件：295.92 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 25V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.7V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：295.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH29C-252	文件：276.88 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 25V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.7V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：276.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH29CTF	文件：55.85 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications 文件：55.85 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSH29C	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor •用于表面贴装应用的引脚排列（无后缀）\n•直引脚（I-PAK，“-I”后缀）\n•电气特性类似于流行的 TIP29 和 TIP29C\n•通用放大器和低速开关应用;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSH29CITU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 1A IPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
15
Package Type：
DPAK-3

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深圳市亚泰盈科电子有限公司	KSH29C	FAIRCHILD		SOT-252	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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