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KSH29C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

KSH29C

参数属性

KSH29C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 1A DPAK

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS NPN 100V 1A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 16:30:00

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KSH29C规格书详情

特性 Features

•用于表面贴装应用的引脚排列(无后缀)
•直引脚(I-PAK,“-I”后缀)
•电气特性类似于流行的 TIP29 和 TIP29C
•通用放大器和低速开关应用

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSH29C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSH29C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSH29C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 1A

  • IC Cont. (A)

    :1

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :Condition: IC = 1A

  • hFE Min

    :Condition: IC = 1A

  • hFE Max

    :Condition: IC = 1A

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = 200mA

  • PTM Max (W)

    :15

  • Package Type

    :DPAK-3

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