KSH29C中文资料NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

| 厂商型号 |
KSH29C |
| 参数属性 | KSH29C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 1A DPAK |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-22 19:35:00 |
| 人工找货 | KSH29C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
KSH29C规格书详情
特性 Features
•用于表面贴装应用的引脚排列(无后缀)
•直引脚(I-PAK,“-I”后缀)
•电气特性类似于流行的 TIP29 和 TIP29C
•通用放大器和低速开关应用
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSH29C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的KSH29C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:KSH29C
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = 1A
- IC Cont. (A)
:1
- VCEO Min (V)
:100
- VCBO (V)
:100
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:Condition: IC = 1A
- hFE Min
:Condition: IC = 1A
- hFE Max
:Condition: IC = 1A
- fT Min (MHz)
:Condition: IC = 200mA
- PTM Max (W)
:15
- Package Type
:DPAK-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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