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KSH32C	文件：296.74 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：296.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32C	文件：277.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：277.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32C	文件：55.39 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications • Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP32 and TIP32C 文件：55.39 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH32C	文件：336.07 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：336.07 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32C-251	文件：296.74 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：296.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32C-252	文件：277.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：277.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32C	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor •用于表面贴装应用的引脚排列（无后缀）\n•直引脚（I-PAK，“-I”后缀）\n•电气特性类似于流行的 TIP32 和 TIP32C\n•通用放大器和低速开关应用\n•用于表面贴装的 D-PAK;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSH32CTF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 3A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
15
Package Type：
DPAK-3

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