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KSH31C	文件：55.46 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications • Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP31C 文件：55.46 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSH31C	文件：338.24 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Lead formed for surface mount applications(NO suffix) • Straight lead(IPAK,“ －I” suffix) • Electrically similar to popular TIP31C • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • General purpose amplifie 文件：338.24 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH31C	文件：296.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：296.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH31C	文件：277.66 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：277.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH31C-251	文件：296.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：296.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH31C-252	文件：277.66 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：277.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH31C	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor •用于表面贴装应用的引脚排列（无后缀）\n•直引脚（I-PAK，“-I”后缀）\n•电气特性类似于流行的 TIP32 和 TIP32C\n•通用放大器和低速开关应用;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSH31CTF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSH31CTM	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
15
Package Type：
DPAK-3

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