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KSH31C-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.2V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多KSH31C-252供应商 更新时间2025-5-22 9:50:00