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KSD363

NPN外延硅晶体管

•集电极-基极电压:VCBO = 300 V\n•集电极电流:IC= 6 A\n•集电极损耗:PC= 40 W (TC= 25°C)B/W TV 水平偏转输出;

ONSEMI

安森美半导体

KSD362

B/W TV Horizontal Deflection Output

ONSEMI

安森美半导体

KSD363-Y

120V,6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

Galaxy

银河微电

KSD362R

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 70V 5A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

KSD362RTU

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 70V 5A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

KSD363O

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 120V 6A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    KSD362

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD241,2SD242,2SD243,2SD244,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    40

详细参数

  • 型号:

    KSD36

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    isc Silicon NPN Power Transistor

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