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KSH112	文件：57.41 Kbytes Page：6 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP112	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH112	文件：331.44 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Built-inadamperdiodeatE-C •ElectricallysimilartopopularTIP112 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH112	文件：278.43 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Built-inadamperdiodeatE-C ·ElectricallysimilartopopularTIP112 ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed swit	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH112	文件：297.4 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Built-inadamperdiodeatE-C ·ElectricallysimilartopopularTIP112 ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed swit	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH112I	文件：63.06 Kbytes Page：6 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP112	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH112-I	文件：57.41 Kbytes Page：6 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP112	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH112-TO-251	文件：297.4 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Built-inadamperdiodeatE-C ·ElectricallysimilartopopularTIP112 ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed swit	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH112-TO-252	文件：278.43 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Built-inadamperdiodeatE-C ·ElectricallysimilartopopularTIP112 ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed swit	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH112TM	文件：62.9 Kbytes Page：6 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH112GTM_NB82051	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

晶体管资料

型号：
KSH112
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
MJD112,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
100
htest：
4000100
atest：
8
wtest：
20

详细参数

型号：
KSH112
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
D-PAK for Surface Mount Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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