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KSD5018功能描述:达林顿晶体管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

KSD5018PCC功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD5018PWD功能描述:达林顿晶体管 NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

KSD5018TU功能描述:达林顿晶体管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

产品属性

  • 产品编号：

    KSD5018

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    管件

  • 晶体管类型：

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    1.5V @ 20mA，3A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    1mA

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3

  • 供应商器件封装：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 275V 4A TO220-3

晶体管资料

  • 型号：

    KSD5018

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-N+Di

  • 性质：

    开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    600V

  • 最大电流允许值：

    4A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    2SC3579,2SD798,

  • 最大耗散功率：

    40W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    B-10

  • vtest：

    600

  • htest：

    999900

  • atest：

    4

  • wtest：

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