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KSE800	文件：73.13 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors • High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC • Complement to KSE700/701/702/703 文件：73.13 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSE800	文件：55.66 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors 文件：55.66 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSE800	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN外延硅达林顿晶体管 •高DC电流增益：hFE=750（最小值）@ IC=1.5和2.0A DC\n•KSE700/701/702/703 的补充器件\n•具有内置基极-发射极电阻的单片架构;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSE800_01	文件：55.66 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors 文件：55.66 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSE800S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSE800STSSTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSE800STU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
KSE800
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
MJE800,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
40

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
3
IC Cont. (A)：
4
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
3
hFE Min：
750
PTM Max (W)：
40
Package Type：
TO-126-3

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