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KSE800中文资料PDF规格书

KSE800
厂商型号

KSE800

参数属性

KSE800 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

文件大小

73.13 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 9:30:00

晶体管资料

  • 型号:

    KSE800

  • 别名:

    KSE800三极管、KSE800晶体管、KSE800晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    MJE800,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    40

KSE800规格书详情

Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors

• High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC

• Complement to KSE700/701/702/703

产品属性

  • 产品编号:

    KSE800STSSTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 30mA,1.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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