| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
155806 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FSCTO220 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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ONSEMINA |
14000 |
18+ROHS |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FSCTO-220 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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FAIRC面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-220 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCTO-220 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220 |
150 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
48900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-220 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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FAIRCTO-220 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
1612 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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TO220 |
9860 |
20+ |
原装现货/放心购买 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
5015 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
KSD363采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
KSD363图片
KSD363RTU价格
KSD363RTU价格：￥1.7536品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的KSD363RTU多少钱，想知道KSD363RTU价格是多少？参考价：￥1.7536。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，KSD363RTU批发价格及采购报价，KSD363RTU销售排行榜及行情走势，KSD363RTU报价。
KSD363-R中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD363制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
KSD363O功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD363OTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD363R功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD363RTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD363Y功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD363YTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
- 最大电流允许值：
6A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-92
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
6
- wtest：
40
