| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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19年
留言
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ONSEMINA |
14000 |
25+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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16年
留言
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FAIRCTO-220 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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17年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
8866 |
24+ |
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14年
留言
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FAIRCTO-220 |
16800 |
26+ |
原装现货 |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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6年
留言
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ON/安森美TO-220 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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1年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA |
15000 |
26+ |
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1年
留言
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FSCTSSOP-14 |
1200 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
1612 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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8年
留言
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onsemiTO-220-3 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-220-3 |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
1709 |
21+ |
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10年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
650 |
26+ |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
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6年
留言
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FSCTO220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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12年
留言
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ONSemiconductorNA |
3000 |
24+ |
进口原装正品优势供应 |
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
13000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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6年
留言
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ON/安森美 |
9999 |
原装现货支持BOM配单服务 |
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2年
留言
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ON/安森美TO-220 |
2500 |
24+ |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
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13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
30000 |
26+ |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
KSD363采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
KSD363图片
KSD363RTU价格
KSD363RTU价格:¥1.7536品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的KSD363RTU多少钱,想知道KSD363RTU价格是多少?参考价:¥1.7536。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,KSD363RTU批发价格及采购报价,KSD363RTU销售排行榜及行情走势,KSD363RTU报价。
KSD363其他三极管中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD363制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
KSD363O功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD363OTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD363R功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD363RTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD363Y功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD363YTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
6A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
40W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-92
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
6
- wtest:
40


























