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KSE802

NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors • High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC • Complement to KSE700/701/702/703

文件:73.13 Kbytes 页数:3 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSE802

Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors

文件:55.66 Kbytes 页数:4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSE802

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors• High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC\n• Complement to KSE700/701/702/703

ONSEMI

安森美半导体

KSE802STU

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    KSE802

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    MJE802,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    40

详细参数

  • 型号:

    KSE802

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors

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更多KSE802供应商 更新时间2026-1-17 22:59:00