KSE802中文资料NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
KSE802 |
| 参数属性 | KSE802 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3 |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 16:57:00 |
| 人工找货 | KSE802价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
KSE802规格书详情
描述 Description
Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors
• High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC
• Complement to KSE700/701/702/703
简介
KSE802属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的KSE802晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
KSE802STU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
9600 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
三星 |
24+ |
TO-126 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-126 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-126-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
三星 |
23+ |
TO-126 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
三星 |
97+ |
TO-126 |
4553 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-126 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
X |
986966 |
国产 |
询价 | ||
三星 |
23+ |
TO-126 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
TO-126 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
