KSE350中文资料KSE350: PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
KSE350 |
| 参数属性 | KSE350 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 300V 0.5A TO126-3 |
| 功能描述 | KSE350: PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 22:59:00 |
| 人工找货 | KSE350价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
KSE350规格书详情
描述 Description
KSE350
特性 Features
高集电极-发射极击穿电压
适合变压器
KSE340 的补充器件
高压通用
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSE350属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的KSE350晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：KSE350
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： PNP Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：-
- IC Cont. (A)
：0.5
- VCEO Min (V)
：300
- VCBO (V)
：300
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：Condition: IC = 50mA
- hFE Max
：Condition: IC = 50mA
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：20
- Package Type
：TO-126-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SEC |
24+ |
NA/ |
780 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
TO225AA,TO1263 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
SEC |
25+ |
TO126 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-126 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SAMSUNG |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
10000 |
询价 | |||||
FSC/SAM |
TO-126 |
35200 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FSC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO-126 |
20547 |
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询价 |
