KSE45H中文资料PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

特性 Features

•低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = -1 V（最大值）@ -8 A
•快速开关速度
•KSE44H 的补充器件
•通用功率开关

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSE45H属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的KSE45H晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。