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KSE210数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

KSE210

参数属性

KSE210 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 25V 5A TO126-3

功能描述

KSE210: PNP Epitaxial Silicon Transistor
TRANS PNP 25V 5A TO126-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 8:56:00

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KSE210规格书详情

描述 Description

KSE210

特性 Features

低集电极-发射极饱和电压
高电流增益带宽积:fT= 65 MHz@IC= -100 mA(最小值)
KSE200的补充器件

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSE210属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSE210晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSE210

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : PNP Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 5A

  • IC Cont. (A)

    :5

  • VCEO Min (V)

    :25

  • VCBO (V)

    :40

  • VEBO (V)

    :8

  • VBE(sat) (V)

    :Condition: IC = 5A

  • VBE(on) (V)

    :Condition: IC = 2A

  • hFE Min

    :Condition: IC = 2A

  • hFE Max

    :Condition: IC = 2A

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = 0.1A

  • PTM Max (W)

    :15

  • Package Type

    :TO-126-3

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