KSE210数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
KSE210 |
参数属性 | KSE210 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 25V 5A TO126-3 |
功能描述 | KSE210: PNP Epitaxial Silicon Transistor |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-10 8:56:00 |
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KSE210规格书详情
描述 Description
KSE210
特性 Features
低集电极-发射极饱和电压
高电流增益带宽积:fT= 65 MHz@IC= -100 mA(最小值)
KSE200的补充器件
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSE210属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSE210晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:KSE210
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-free
- Status
: Active
- Description
: PNP Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = 5A
- IC Cont. (A)
:5
- VCEO Min (V)
:25
- VCBO (V)
:40
- VEBO (V)
:8
- VBE(sat) (V)
:Condition: IC = 5A
- VBE(on) (V)
:Condition: IC = 2A
- hFE Min
:Condition: IC = 2A
- hFE Max
:Condition: IC = 2A
- fT Min (MHz)
:Condition: IC = 0.1A
- PTM Max (W)
:15
- Package Type
:TO-126-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220 |
1709 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FSC |
2020+ |
TO-220 |
3300 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
880000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
79119 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
5250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHI |
24+ |
TO-220 |
80000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
10+ |
TO220 |
1000 |
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询价 |