KSE210中文资料KSE210: PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

KSE210

特性 Features

低集电极-发射极饱和电压
高电流增益带宽积：fT= 65 MHz@IC= -100 mA（最小值）
KSE200的补充器件

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSE210属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的KSE210晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。