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SSM3J327R	文件：432.89 Kbytes Page：9 Pages	Marking：KFG；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications •PowerManagementSwitches Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=240mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=168mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=123mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=93mΩ(max)(@VGS=-4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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SSM3J327R

文件：432.89 Kbytes

Page：9 Pages

Marking：KFG；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications •PowerManagementSwitches Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=240mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=168mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=123mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=93mΩ(max)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
KFG
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
FLASH MEMORY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KFG供应商更新时间2025-6-21 9:31:00

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