丝印：KFO；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications • Power Management Switches Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 150 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 100 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 75 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 55 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

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TOSHIBA

东芝

5.0V PLASTIC HCMOS/TTL SMD OSCILLATOR

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FOX

PLASTIC MOLDED SM CLOCK-OSCILLATORS

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WK

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