SSM3J331R中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	SSM3J331R
功能描述	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)
丝印标识	KFO
封装外壳	SOT-23F
文件大小	241.69 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	TOSHIBA
中文名称	东芝
网址	网址
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更新时间	2025-10-9 23:00:00
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Applications

• Power Management Switches

特性 Features

(1) 1.5-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 150 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 100 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 75 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 55 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

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