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SSM3J327R中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

SSM3J327R

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

丝印标识

KFG

封装外壳

SOT-23F

文件大小

432.89 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 23:44:00

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SSM3J327R规格书详情

Applications

• Power Management Switches

特性 Features

(1) 1.5-V drive

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 93 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

产品属性

  • 型号:

    SSM3J327R

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type(U-MOSⅥ)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
10+
SOT23F
3000
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