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KDS120	文件：115.85 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Small Package : USM. • Low Forward Voltage : VF=0.92V (Typ.). • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.). • Small Total Capacitance : CT=2.2pF (Typ.). 文件：115.85 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDS120E	文件：26.02 Kbytes Page：1 Pages	ESM PACKAGE ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Small Package : ESM. • Low Forward Voltage : VF=0.92V (Typ.). • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.). • Small Total Capacitance : CT=2.2pF (Typ.). 文件：26.02 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDS120V	文件：68.25 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Very Small Package : VSM. • Low Forward Voltage : VF=0.92V (Typ.). • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.). • Small Total Capacitance : CT=2.2pF (Typ.). 文件：68.25 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDS121	文件：116.3 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Small Package : USM. • Low Forward Voltage : VF=0.9V (Typ.). • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.). • Small Total Capacitance : CT=0.9pF (Typ.) 文件：116.3 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDS121E	文件：174.15 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Small Package : ESM. • Low Forward Voltage : VF=0.9V (Typ.). • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.). • Small Total Capacitance : CT=0.9pF (Typ.). • Suffix U : Qualified to AEC-Q101. ex) KDS121E-RTK/HU 文件：174.15 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDS121V	文件：12.36 Kbytes Page：1 Pages	VSM PACKAGE ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Very Small Package : VSM. • Low Forward Voltage : VF=0.9V (Typ.). • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.). • Small Total Capacitance : CT=0.9pF (Typ.). • Suffix U : Qualified to AEC-Q101. ex) KDS121V-RTK/HU 文件：12.36 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDS122	文件：152.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Small Package : USM. • Low Forward Voltage : VF=0.9V (Typ.). • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.). • Small Total Capacitance : CT=0.9pF (Typ.). 文件：152.96 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDS123E	文件：442.17 Kbytes Page：3 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Low Forward Voltage • Fast Reverse Recovery Time • Small Total Capacitance • Ultra- Small Surface Mount Package • Suffix U : Qualified to AEC-101 ex) KDS123E-RTK/HU 文件：442.17 Kbytes 页数：3 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDS123S	文件：441.89 Kbytes Page：3 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Low Forward Voltage • Fast Reverse Recovery Time • Small Total Capacitance • Ultra- Small Surface Mount Package 文件：441.89 Kbytes 页数：3 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDS123U	文件：349.84 Kbytes Page：1 Pages	USM PACKAGE ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Low Forward Voltage • Fast Reverse Recovery Time • Small Total Capacitance • Ultra- Small Surface Mount Package 文件：349.84 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC

技术参数

AEC-Q：
Y
Package：
USM
IF[mA]：
300
CT_MAX[㎊]：
3
VF_Max[V]：
1.2
VR[V]：
80

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