SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Small Package : USM. • Low Forward Voltage : VF=0.9V (Typ.). • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.). • Small Total Capacitance : CT=0.9pF (Typ.).

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USM PACKAGE

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Small Signal Switching Diode, USM, 80V, 300mA

• Low Forward Voltage : VF=0.9V (typ.)\n• Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6nS (typ.)\n• Small Total Capacitance : CT=0.9pF (typ.)\n• all Package : USM.;

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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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