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KDS121E

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Small Package : ESM. • Low Forward Voltage : VF=0.9V (Typ.). • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.). • Small Total Capacitance : CT=0.9pF (Typ.). • Suffix U : Qualified to AEC-Q101. ex) KDS121E-RTK/HU

文件:174.15 Kbytes 页数:1 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS121E

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

文件:447.13 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS121E_07

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

文件:447.13 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS121E_15

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

文件:357.14 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS121E

Small Signal Switching Diode, ESM, 80V, 300mA

• Low Forward Voltage : VF=0.9V (typ.)\n• Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6nS (typ.)\n• Small Package : ESM.;

KEC

开益禧

技术参数

  • AEC-Q:

    Y

  • Package:

    ESM

  • IF[mA]:

    300

  • CT_MAX[㎊]:

    3

  • VF_Max[V]:

    1.2

  • VR[V]:

    80

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KEC
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更多KDS121E供应商 更新时间2026-4-17 15:33:00