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K4S561632D-TC/L75	文件：60.89 Kbytes Page：11 Pages	256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S561632Dis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,196,304wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarep	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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K4S561632D-TC75000	文件：64.47 Kbytes Page：11 Pages	256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S561632Dis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,196,304wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarep	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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K4S561632B	文件：131.61 Kbytes Page：11 Pages	256MbitSDRAM4Mx16bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL TheK4S561632Bis268,435,456bitssynchronoushighdatarate DynamicRAMorganizedas4x4,196,304wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleoneveryclo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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K4S561632E	文件：207.41 Kbytes Page：13 Pages	256MbE-dieSDRAMSpecification54pinsTSOP-II GENERALDESCRIPTION TheK4S560432E/K4S560832Eis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x16,777,216wordsby4bits/4x8,388,608wordsby8bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththe	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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详细参数

型号：
K4S561632D
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

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