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K4S640432E-TC	文件：113.11 Kbytes Page：10 Pages	4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM GENERALDESCRIPTION TheK4S640432Eis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,194,304wordsby4bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4S640432D	文件：128.38 Kbytes Page：10 Pages	64MbitSDRAM4Mx4Bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S640432Dis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,194,304wordsby4bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4S640432E	文件：113.11 Kbytes Page：10 Pages	4Mx4Bitx4BanksSynchronousDRAM GENERALDESCRIPTION TheK4S640432Eis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,194,304wordsby4bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4S640432F	文件：140.57 Kbytes Page：11 Pages	4Mx4Bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S640432Fis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,194,304wordsby4bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4S640432H-TC	文件：144.64 Kbytes Page：14 Pages	64MbH-dieSDRAMSpecification54TSOP-IIwithPb-Free GENERALDESCRIPTION TheK4S640432H/K4S640832H/K4S641632His67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,194,304wordsby4bits,/4x2,097,152wordsby8bits,/4x1,048,576wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNG′shighperformanceCMOStechnology.Synchro	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4S640432H-UC	文件：144.64 Kbytes Page：14 Pages	64MbH-dieSDRAMSpecification54TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) GENERALDESCRIPTION TheK4S640432H/K4S640832H/K4S641632His67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,194,304wordsby4bits,/4x2,097,152wordsby8bits,/4x1,048,576wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNG′shighperformanceCMOStechnology.Synchro	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

详细参数

型号：
K4S640432E-TC
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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