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K4E160811D	文件：257.04 Kbytes Page：21 Pages	2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 2,097,152 x 8 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K Ref.), access time (-50 or -60 文件：257.04 Kbytes 页数：21 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4E160811D	文件：300 bytes Page：1 Pages	2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out	Samsung 三星	Samsung
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更多K4E160811D供应商更新时间2025-10-11 15:30:00