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K4E160411D	文件：256.75 Kbytes Page：21 Pages	4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4.194,304 x 4 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K Ref.), access time (-50 or -60 文件：256.75 Kbytes 页数：21 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4E160411D-F	文件：300 bytes Page：1 Pages	4M x 4 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle.	Samsung 三星	Samsung
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更多K4E160411D供应商更新时间2025-10-30 20:17:00