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MMBT3906	文件：60.44 Kbytes Page：3 Pages	丝印：K3N；Package：SOT-23；PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Complementary NPN Type: MMBT3904 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig 文件：60.44 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT3906-13-F	文件：380.14 Kbytes Page：7 Pages	丝印：K3N；Package：SOT-23；40V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching ● Complementary NPN Type: MMBT3904 ● Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ● Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ● Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig 文件：380.14 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT3906-7-F	文件：380.14 Kbytes Page：7 Pages	丝印：K3N；Package：SOT-23；40V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching ● Complementary NPN Type: MMBT3904 ● Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ● Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ● Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig 文件：380.14 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT3906DW	文件：982.22 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K3N；Package：SOT-363；S0OT-363 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES * Epitaxial planar die construction *® ldeal for low power amplification and switching 文件：982.22 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MMBT3906Q-13-F	文件：380.14 Kbytes Page：7 Pages	丝印：K3N；Package：SOT-23；40V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching ● Complementary NPN Type: MMBT3904 ● Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ● Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ● Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig 文件：380.14 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT3906Q-7-F	文件：380.14 Kbytes Page：7 Pages	丝印：K3N；Package：SOT-23；40V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching ● Complementary NPN Type: MMBT3904 ● Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ● Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ● Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig 文件：380.14 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMDT3906	文件：667.11 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K3N；Package：SOT-363；Dual PNP Small Signal Surface Mount Transistor FEATURES ● Epitaxial planar die construction. ● Ideal for low power amplification and switching. ● Ultra-small surface mount package. ● Also available in lead free version. APPLICATIONS ● General switching and amplification. 文件：667.11 Kbytes 页数：4 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
MMDT3906	文件：184.59 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K3N；Package：SOT-363；Dual PNP Small Signal Surface Mount Transistor FEATURES ● Epitaxial planar die construction. ● Ideal for low power amplification and switching. ● Ultra-small surface mount package. ● Also available in lead free version. APPLICATIONS ● General switching and amplification. 文件：184.59 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMDT3906DW	文件：353.55 Kbytes Page：3 Pages	丝印：K3N；Package：SOT-363；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ·Epitaxial planar die construction ·Ideal for low power amplification and switching 文件：353.55 Kbytes 页数：3 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
MMBT3906	文件：432.71 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K3N；Package：SOT-23；PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：432.71 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

晶体管资料

型号：
MMBT3906
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
BCW70,3DG120C,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Yes
Product Type：
PNP
IC (A)：
0.2 A
ICM (A)：
N/A A
PD (W)：
0.3 W
hFE (min)：
60 Min
hFE(@ IC)：
0.0001 A
hFE(Min 2)：
30
hFE(@ IC2)：
0.05 A
VCE (SAT)Max (mV)：
250 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：
0.5/50
VCE (SAT)(Max.2)：
400 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.15/15
fT (MHz)：
250 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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