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MMBT3906	文件：60.44 Kbytes Page：3 Pages	Marking：K3N；Package：SOT-23；PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •ComplementaryNPNType:MMBT3904 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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MMBT3906-7-F	文件：380.14 Kbytes Page：7 Pages	Marking：K3N；Package：SOT-23；40V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●ComplementaryNPNType:MMBT3904 ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3906DW	文件：982.22 Kbytes Page：4 Pages	Marking：K3N；Package：SOT-363；S0OT-363 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ®ldealforlowpoweramplificationandswitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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MMBT3906Q-7-F	文件：380.14 Kbytes Page：7 Pages	Marking：K3N；Package：SOT-23；40V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●ComplementaryNPNType:MMBT3904 ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3906	文件：184.59 Kbytes Page：4 Pages	Marking：K3N；Package：SOT-363；Dual PNP Small Signal Surface Mount Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT3906	文件：667.11 Kbytes Page：4 Pages	Marking：K3N；Package：SOT-363；Dual PNP Small Signal Surface Mount Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDT3906DW	文件：353.55 Kbytes Page：3 Pages	Marking：K3N；Package：SOT-363；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ·Epitaxialplanardieconstruction ·Idealforlowpoweramplificationandswitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
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详细参数

型号：
K3N
制造商：
Samsung Semiconductor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市拓亿芯电子有限公司	K3N	CJ/长电科技	23+	SOT-363	15000	全新原装现货,价格优势	询价
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更多K3N供应商更新时间2025-5-21 16:30:00

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