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K3878	文件：212.41 Kbytes Page：6 Pages	型号：2SK3878；Switching Regulator Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
K3878	文件：235.79 Kbytes Page：6 Pages	型号：2SK3878；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.0Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=720V) •Enhancementmodel:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝

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型号：2SK3878；Switching Regulator Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

K3878

文件：235.79 Kbytes

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型号：2SK3878；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.0Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=720V) •Enhancementmodel:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

详细参数

型号：
K3878
制造商：
Toshiba
功能描述：
Nch 900V 9A 1.3@10V TO3P(N) Bulk
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
MOSFET N-CH 900V 9A TO-3PN
功能描述：
MOSFET N CH 9A 900V TO3P
功能描述：
MOSFET, N CH, 9A, 900V, TO3P
功能描述：
MOSFET, N CH, 900V, 9A, SC-65; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
9A; Drain Source Voltage
Vds：
900V; On Resistance
Rds(on)：
1ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Power Dissipation
Pd：
150W; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
MOSFET N-Channel 900V 9A TO-3PN
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

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