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2SK3878	文件：210.26 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：210.26 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3878	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3878	文件：235.79 Kbytes Page：6 Pages	丝印：K3878；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：235.79 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3878	文件：212.41 Kbytes Page：6 Pages	丝印：K3878；Switching Regulator Applications 文件：212.41 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3878	文件：201.27 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Mosfet Transistor 文件：201.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3878	文件：323.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3878	文件：1.39583 Mbytes Page：6 Pages	THINKISEMI 9A,900V N-CHANNEL PLANAR STRIPE POWER MOSFETs 文件：1.39583 Mbytes 页数：6 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
2SK3878	文件：342.17 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：342.17 Kbytes 页数：6 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI
2SK3878	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 700V VDSS) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current ID 9 A \nPower Dissipation PD 150 W \nDrain-Source voltage VDSS 900 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SK3878_V01	文件：235.79 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：235.79 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Product Category：
Power MOSFET (N-ch 700V＜VDSS)
Package name(Toshiba)：
TO-3P(N)
Recommended Product 1：
TK9J90E(Almost same package but similar characteristics)

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