TK39N60X芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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TK39N60X	文件：240.4 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K39N60X；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.055 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) High-speed switching properties with lower capacitance (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.9 mA) 文件：240.4 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更多K39N60X供应商更新时间2025-8-8 16:36:00