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02N120	文件：402.05 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IXTP02N120P	文件：134.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTP02N120P	文件：315.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedfo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTY02N120P	文件：134.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
SGB02N120	文件：386.07 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SGB02N120	文件：439.41 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technologyLowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SGD02N120	文件：382.36 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SGD02N120	文件：386.07 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SGD02N120	文件：311.58 Kbytes Page：3 Pages	FastIGBTinNPT-technology DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.6V@IC=2A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
SGI02N120	文件：382.36 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SGI02N120	文件：386.07 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SGP02N120	文件：386.07 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SGP02N120	文件：382.36 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SGP02N120	文件：315.37 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Fastswitching ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·Motorcontrols ·Inverter ·SMPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
SGW02N120	文件：312.21 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SGW02N120	文件：813.99 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SKB02N120	文件：1.16225 Mbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode Allowednumberofshortcircuits:1s. •lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforfrequencyinvertersforwashingmachi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SKB02N120	文件：402.05 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SKB02N120	文件：615.49 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode Allowednumberofshortcircuits:1s. •lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10s •Designedforfrequencyinvertersfor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SKP02N120	文件：402.05 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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更多K02N120MOS(场效应管)供应商更新时间2024-4-27 15:24:00

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